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高真空热蒸发镀膜机用途:制备金属膜、有机膜、介质膜、光学膜等。
*极限真空:≤5×10-5Pa
* 烘烤温度:≤500˚C
*蒸发源电源:
5kW,12.5v,100A
*镀膜室:Φ300×400
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脉冲激光镀膜设备(PLD) | |
PLD450B |
制备超导薄膜、半导体膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。
由球形ф450mm沉积室和圆柱形样品处理室组成。
极限真空:优于6.6×10-6Pa
转
靶:Φ30～Φ50；4～6个靶位；可做公、自转。转速:自转0～50 r.p.m,连续可调
样品台:Φ40～Φ50
样 品:自转0～50 r.p.m,可调;加热温度800˚C
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激光分子束外延设备 | |
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制备不同结构、性能的多层膜材料，可原位精确控制原子尺度的外延生长。用于生长半导体超晶格材料，制备含有复杂氧化物结构薄膜、光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体及有机化合物等。
* 极限真空:5×10-8Pa
*转
靶:Φ30～Φ50；4～6个靶位；可做公、自转。转速:自转0～50 r.p.m,连续可调
可加热和水冷,加热温度:800˚C
* 样 品: 激光扫描;自转0～50
r.p.m,加热温度800˚C
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化学气相沉积设备 | |
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制备多种非晶态膜多晶态膜。
*极限真空:5×10-5Pa
*反应室尺寸:Φ300x220mm
*样品尺寸:三英寸或四英寸。温度:50—400°C可控。
*RF射频电源:功率500W
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用于制备各种单层或多层金属膜、磁记录膜、高温超导膜及各种半导体膜、绝缘膜等。
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极限真空:≤1×10-5Pa
*镀膜室:Φ350×400
*蒸发源2套、基片水冷自转。
*离子枪:8cm Kaufman
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制备光学膜、半导体膜等。
*极限真空:6.6×10-5Pa
*离子枪:Kaufman枪,离子束能量：0.3～1.5keV连续可调;离子流密度:～1mA/cm2;引出栅极直径:Φ100
*e型电子枪:功率8kW
*基片架:可做公、自转。公转转速:0~30r.p.m;自转转速:0~60r.p.m,连续可调;加热温度:400˚C
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磁控溅射离子束辅助沉积的设备 | |
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设备具有磁控溅射、离子束辅助沉积和离子束改性功能。可镀铁磁材料、可共溅射。
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极限真空:1×10-6Pa
*样品:自转，0～30rpm范围内连续可调。
*基片尺寸:20x20mm
*加热温度:室温~600可控可
*恒流源:500W
射频电源:1000W
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暂时缺图
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制备各种金属膜、光学膜、半导体膜等。广泛应用于电子学、光学、材料学、精密加工等领域的研究和生产中。
*极限真空:2×10-5Pa
*样品尺寸:2英寸最高温度为800℃。样品自转0-10rpm
设备组成:双离子束镀膜室,进样室。
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L-MBE450B激光分子束外延与离子束刻蚀设备 | |
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L-MBE450B
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该设备系由球径为450mm球形外延室和进样室组成
最高加热温度为800℃±1℃
离子刻蚀室极限真空优于6.6×10-5Pa
外延生长室极限真空优于5×10-8Pa
样品库可装夹6片ф30样品
磁力样品传递装置外延室不曝露大气条件下完成取送样品 | |
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